长江存储3D NAND获首张订单 出货量超过10000颗

[导读] 身为国家存储器项目首发基地的长江存储,4月11日武汉厂正式举行装机典礼,由紫光集团暨长江存储董事长赵伟国亲自主持,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(大基金)总裁董事长丁文武也到场支持,紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全表示,长江存储已经获得第一笔10776颗芯片的订单。

身为国家存储器项目首发基地的长江存储,4月11日武汉厂正式举行装机典礼,由紫光集团暨长江存储董事长赵伟国亲自主持,国家集成电路产业投资基金股份有限公司(大基金)总裁董事长丁文武也到场支持,紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全表示,长江存储已经获得第一笔10776颗芯片的订单。

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长江存储武汉新厂房的启动,代表国内实现3D NAND量产的全新起点,对中国半导体产业极具里程碑意义!紫光在武汉、南京、成都三地皆具备12寸厂,率先启动的是武汉基地,赵伟国指出,武汉将募资800亿人民币,日前金额已经全数到位,今年可进入小规模量产,明年进入128Gb的3D NAND在64层技术的研发。

业内人士认为,现在NAND Flash大厂三星电子、美光、东芝、SK海力士主流的3D NAND技术是64层和72层,虽然今、明两年将跨入96层技术,但这个技术门槛十分高,要进入大量生产需要一些时间,如果紫光可以在64层3D NAND技术如期研发成功,那国内自主存储技术的脚步将更为坚定。

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据悉,长江存储的32层3D NAND芯片首笔订单将应用在8GB uSD卡上,这代表国内3D NAND芯片研发已经跨出成功的第一步,不但研发成功,并且进入商用化!

事实上,长江存储的武汉基地第一期生产线进度十分快速,2017年9月已提前封顶,2017年11月长江存储第一颗32层3D NAND芯片宣布研发成功,而2018年2月进行厂内洁净室、消防等系统安装,4月11日这天正式举行半导体设备装机典礼,实现国内3D NAND芯片量产仅一步之遥!

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